PHƯƠNG PHÁP ĐO SÂU ĐIỆN ĐỐI XỨNG VÀ LƯỠNG CỰC HỢP NHẤT
Người đăng tin: Test Ngày đăng tin: 29/01/2015 Lượt xem: 1266

Sáng chế thuộc lĩnh vực Địa vật lý thăm dò, chuyên môn thăm dò điện, được sử dụng để thăm dò lòng đất dạng phân lớp theo phương nằm ngang trong địa chất công trình, địa chất thủy văn, địa chất quặng và địa chất dầu khí.

Số bằng:               1-0000052

Ngày công bố:      27/03/1989                 

Số đơn:                1-1986-00120           

Ngày nộp đơn:     04/02/1986

Chủ bằng:            Trường Đại học Tổng hợp Hà nội

Tác giả sáng chế: Lâm Quang Thiệp và Lê Viết Dư Khương

Lĩnh vực kỹ thuật đề cập đến: Sáng chế thuộc lĩnh vực Địa vật lý thăm dò, chuyên môn thăm dò điện, được sử dụng để thăm dò lòng đất dạng phân lớp theo phương nằm ngang trong địa chất công trình, địa chất thủy văn, địa chất quặng và địa chất dầu khí.

Giải pháp kỹ thuật đã biết: Phương pháp đo sâu điện thẳng đứng VES /1/ và phương pháp đo sâu lưỡng cực trục /1/.

Mỗi phương pháp trên cho phép thu được một đường cong điện trở suất biểu kiến dùng để xác định môi trường lát cắt địa điện.

Nhược điểm của các phương pháp này là hiệu suất thăm dò thấp và chi phí cho công tác thăm dò cao.

Giải pháp tương tự của sáng chế là phương pháp đo sâu " từ trường" /2/. Sử dụng 6 điện cực bố trí đối xứng qua tâm đo sâu, trong đó bốn cục phát được bố trí bên ngoài hai cực thu. Ở mỗi vị trí của hệ cực, tiến hành đo hiệu điện thế ở cặp cực thu khi lần lượt phát dòng I1 và I2 qua mỗi cặp cực phát và khi phát đồng thời hai dòng ngược chiều nhau. Tỷ số độ lớn các dòng được giữ không đổi. Giá trị các điện trở suất biểu kiến được tính theo công thức Petrovski và khi tăng dần kích thước của hệ cực sẽ xác định được các đường cong điện trở suất biểu kiến. Các đường cong này có độ sâu nghiên cứu lớn, tính định xứ mạnh và khả năng phân giải cao hơn các đường cong của phương pháp đo sâu điện thẳng đứng và lưỡng cực trục. Nhược điểm của phương pháp này là phải sử dụng các thiết bị cồng kềnh, hiệu suất thăm dò chưa cao.

Bản chất của sang chế: Mục đích của sáng chế là tăng hiệu suất thăm dò và giảm chi phí cho công tác đo sâu điện. Để đạt được mục đích trên, phương pháp theo sáng chế đã dùng thiết bị đối xứng và lưỡng cực hợp nhất, bao gồm một cặp cực phát và hai cặp cực thu bố trí đối xứng qua tâm đo sâu, trong đó cặp cực phát được bố trí bên trong các cặp cực thu (hình 1).

Lợi ích của sáng chế: Trong khi phương pháp VES cho phép thu được một đường cong điện trở suất biểu kiến, thì phương pháp theo sáng chế cho phép thu được 7 đường cong, trong đó 5 đường có thể cho thông tin độc lập về lát cắt địa điện. Đường cong ρs và ρp chứa thông tin tương đương các đường cong điện trở suất biểu kiến đo theo phương pháp VES và lưỡng cực trục thông thường, nhưng có độ tin cậy cao hơn. Các đường cong ρrF ρrT cho thông tin về sự bất đối xứng của môi trường ở hai cánh của điểm đo. Đường cong ρp có độ sâu nghiên cứu lớn và khả năng phân giải mạnh hơn đường cong VES thông thường, đồng thời có độ tin cậy cao hơn đường cong ρT của phương pháp từ trường. Phân tích đồng thời các đường cong ρs , ρp khi tính đến quan hệ tương hỗ giữa chúng cho phép phán đoán về lát cắt địa điện một cách tin tưởng hơn. Áp dụng phương pháp đo theo sáng chế, kích thước tối đa để nghiên cứu một độ sâu nào đó giảm khoảng 5-10 lần so với phương pháp VES, do đó giá thành giảm khoảng 2-5 lần. Việc đưa các cực phát vào trong các cực thu cũng làm cho thi công thực địa dễ dàng và an toàn hơn, do đó giảm bớt chi phí sản xuất.   

Tóm tắt: Phương pháp đo sâu điện bằng cách phóng dòng điện vào lòng đất qua các điện cực phát để đo hiệu điện thế ở các cặp cực thu và mở rộng dần kích thước để thu các đường cong điện trở suất biểu kiến, khác biệt bởi, với mục địch tăng hiệu suất thăm dò và giảm chi phí sản xuất, đã dùng hệ cực đối xứng và lưỡng cực hợp nhất, trong đó hai cực phát được đặt bên trong bốn cực thu, qua đó tính được hai đường cong điện trở suất biểu kiến theo hai cánh, hai đường cong điện trở suất biểu kiến trung bình và một đường cong điện trở suất biểu kiến tổng hợp.

 

 

 

Mỹ Dung - Nguồn Cục Sỡ hữu trí tuệ Quốc gia

Chuyên mục, tin tức liên quan:
 

Cơ sở dữ liệu KH&CN Cơ sở dữ liệu KH&CN

 

Liên hệ Liên hệ

TRUNG TÂM THÔNG TIN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ THÀNH PHỐ ĐÀ NẴNG

49 Thế Lữ, phường An Hải Bắc, quận Sơn Trà, thành phố Đà Nẵng

(+84) 236  3898 133 - Fax: (+84) 236 3898 133

ttttkhcndanang@gmail.com; ttttkhcn@danang.gov.vn

Kết nối với Trung tâm Kết nối với Trung tâm

Thống kê truy cập Thống kê truy cập

0 0 7 8 7 1 3 6

Nội dung HTML Nội dung HTML